中島 安理(なかじま あんり)
Anri Nakjima

* 略歴
宮城県出身
1984年、東北大学理学部物理第2学科卒業
1986年、同大学院理学研究科物理学専攻博士課程前期修了
1991年、同大学院理学研究科物理学専攻博士課程後期修了
1991年、富士通株式会社入社
1998年１月、広島大学ナノデバイス・システム研究センター助教授

*研究領域
ナノプロセス研究領域

* 専門分野
半導体物理工学
光物性

* 現在までの研究内容
Si 系ナノ構造の作製とその量子・単一電子デバイスへの応用に関する研究．これまでに、LPCVD法を用いてSiO2上へSiナノクリスタルを作製する方法を開発し、光学吸収測定により量子サイズ効果を観測した．ナノスケールSi フローティングドットを狭チャネルMOSトランジスタのチャネル上に自己整合的に配置させる方法を開発し、単一電子メモリー効果を室温で観測した．更に、低エネルギーイオン注入法を用いて、サイズと深さ方向の位置の均一性の極めて良好な金属Sn及びSbドットをSi基板上の極薄熱酸化膜中に作製する方法を開発した．

* 所属学会
応用物理学会、日本物理学会

* 趣味
テニス、野球、サッカー、スキー

*連絡先
〒739-8527
広島県東広島市鏡山1-4-2
ナノデバイス・システム研究センター
TEL: 0824-24-6274
FAX: 0824-22-7185
email: nakajima@sxsys.hiroshima-u.ac.jp